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Vishay Halbleiter

Vishay Halbleiter
Bild Teil # Beschreibung fabricant Lagerbestand Zulassung
Qualität Vishay ESD Suppressoren TVS Dioden 600W 7,5 V 5% Unidir SMA6J7.5A-E3/5A usine

Vishay ESD Suppressoren TVS Dioden 600W 7,5 V 5% Unidir SMA6J7.5A-E3/5A

Vishay ESD-Suppressoren TVS-Dioden 600W 7,5V 5% Unidir
Qualität VO1263AACTR usine

VO1263AACTR

Fotodioden-Ausgangs-Optikopplungen Dual Photovoltaic MOSFET-Treiber
Qualität VO3120-X007T usine

VO3120-X007T

Logische Ausgang Optocouplers 2.5A Strom aus IGBT/MOSFET Drvr
Qualität VOM160RT usine

VOM160RT

Triac- und SCR-Ausgangsoptokopler 600V 10mA 0,5K DV/DT Nicht-Null-Kreuzung
Qualität 6N137-X007T usine

6N137-X007T

Hochgeschwindigkeits-Optikopplungen 10Mbd Hochgeschwindigkeits-Einzel-CTR> 300%
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.

Transistor-Ausgang Optocouplings Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR> 160-256%
Qualität VOS615A-2X001T usine

VOS615A-2X001T

Transistor-Ausgangs-Optikopplungen CTR 63-125% 10MA
Qualität SFH6156-3T usine

SFH6156-3T

Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR 100-200%
Qualität TCLT1000 usine

TCLT1000

Transistor-Ertrag-Optokoppler-Fototransistor heraus
Qualität VOS628A-2X001T usine

VOS628A-2X001T

Transistorausgang Optocouplings AC-Eingang, Photonstr 63-125% CTR VDE
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Transistorausgangsoptokopplungen H. Relblty 5300 Vrms 63-125%
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Fahrzeuge.

Transistorausgang Optocouplers Optocplr Phototrnstr 100-200% CTR
Qualität TCLT1009 usine

TCLT1009

Transistorausgang Optocouplings Phototransistor Ausgang Einzel CTR 200-400%
Qualität Der Anteil der usine

Der Anteil der

Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Quad CTR > 20%
Qualität CNY65AGRST usine

CNY65AGRST

Transistorausgang Optocouplers FOTONTRANSISTOR aus CTR 100-300
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Transistorausgang Optocouplers Optocplr Phototrnstr 100-200% CTR VDE
Qualität Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte usine

Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte

Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR> 100-200%
Qualität CNY 66 usine

CNY 66

Transistor-Ertrag-Optokoppler-Fototransistor heraus
Qualität SIHB33N60ET1-GE3 usine

SIHB33N60ET1-GE3

MOSFET N-KANAL 600V
Qualität SQJA86EP-T1_GE3 usine

SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifiziert
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.

MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
Qualität IRFB18N50KPBF usine

IRFB18N50KPBF

MOSFET N-Chan 500V 17 Ampere
Qualität SI7956DP-T1-GE3 usine

SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V
Qualität IRFPC60LCPBF usine

IRFPC60LCPBF

MOSFET N-Chan 600V 16 Ampere
Qualität SI2371EDS-T1-GE3 usine

SI2371EDS-T1-GE3

MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III
Qualität SI4816BDY-T1-GE3 usine

SI4816BDY-T1-GE3

MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 Mohm
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit.

MOSFET 30V 6,0A 6,3W 30mohm @ 10V
Qualität SI4431CDY-T1-GE3 usine

SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mAh @ 10V
Qualität SQ2361AEES-T1_GE3 usine

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
Qualität IRL520PBF usine

IRL520PBF

MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampere
Qualität IRFP064PBF usine

IRFP064PBF

MOSFET N-Chan 60V 70 Ampere
Qualität IRF840APBF usine

IRF840APBF

MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampere
Qualität IRF9530STRLPBF usine

IRF9530STRLPBF

MOSFET P-Chan 100V 12 Ampere
Qualität IRFU320PBF usine

IRFU320PBF

MOSFET N-Chan 400V 3,1 Ampere
Qualität SI1869DH-T1-E3 usine

SI1869DH-T1-E3

MOSFET-Lastschalter 1,8 V RA W/ LEVEL SHIFT
Qualität SQ7415AEN-T1_GE3 usine

SQ7415AEN-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifiziert
Qualität IRF9630PBF usine

IRF9630PBF

MOSFET P-Chan 200V 6,5 Ampere
Qualität IRFPG50PBF usine

IRFPG50PBF

MOSFET N-Chan 1000V 6,1 Ampere
Qualität SI1024X-T1-GE3 usine

SI1024X-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 Mohms @ 4,5V
Qualität SIS413DN-T1-GE3 usine

SIS413DN-T1-GE3

MOSFET -30V 9,4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
Qualität IRFP264PBF usine

IRFP264PBF

MOSFET N-Chan 250V 38 Ampere
Qualität Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. usine

Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.

MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
Qualität SQJ409EP-T1_GE3 usine

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualifiziert
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Schottky-Dioden und Berichtigungsvorrichtungen 2X3.5A 100V gemeinsame Kathode
Qualität VS-10MQ100NTRPBF usine

VS-10MQ100NTRPBF

Schottky-Dioden u. -gleichrichter 2,1 Ampere 100 Volt
Qualität VS-20CDH02HM3/I usine

VS-20CDH02HM3/I

Ausrüstung für die Anpassung an die Wärme
Qualität VS-HFA16PB120-N3 usine

VS-HFA16PB120-N3

Ausrichtungsgeräte 16A 1200V Ultrafast 30ns HEXFRED
Qualität DG409DY-T1-E3 usine

DG409DY-T1-E3

Multiplexer-Switch-ICs mit doppelter Differenz 4:1, 2-Bit-Multiplexer/MUX
Qualität DG408DY-T1-E3 usine

DG408DY-T1-E3

Multiplexer-Switch-ICs Einzel 8:1, 3 Bit 20/25 V
Qualität DG408DQ-T1-E3 usine

DG408DQ-T1-E3

Multiplexer-Switch-ICs Einzel 8:1, 3-Bit-Multiplexer/MUX
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