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SIHB33N60ET1-GE3

fabricant:
Vishay Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-KANAL 600V
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Handelsbezeichnung:
TrenchFET
Packung / Gehäuse:
TO-263-3
Verpackung:
Spirale
Hersteller:
Vishay Halbleiter
Hervorheben:

Semiconductor IC SIHB33N60ET1-GE3

,

Power MOSFET with warranty

,

High voltage semiconductor component

Einleitung
Das SIHB33N60ET1-GE3 von Vishay Semiconductors ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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