TLE8250G
Spezifikationen
Produktkategorie:
DOSE Schnittstelle IC
Montageart:
SMD/SMT
Packung / Gehäuse:
PG-DSO-8
Versorgungsspannung - Max:
5.25 V
Verpackung:
Spirale
Versorgungsspannung - Min:
4.75 V
Typ:
Hochgeschwindigkeits-DOSE Transceiver
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
Das TLE8250G von Infineon Technologies ist ein CAN Interface IC. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, der in Original- und neuen Teilen erhältlich ist.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD15N06S2L-64
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
IPD50N08S4-13
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
Einheitliche Prüfungen
MOSFET MOSFET
IPD35N10S3L-26
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
FZ600R12KE4HOSA1
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
S26HS01GTGABHB030
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
FM24C16B-GTR
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
S25FL127SABMFV101
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
IPD15N06S2L-64 |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
|
|
|
|
IPD50N08S4-13 |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
|
|
|
|
Einheitliche Prüfungen |
MOSFET MOSFET
|
|
|
|
IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
|
|
|
|
FZ600R12KE4HOSA1 |
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
|
|
|
|
S26HS01GTGABHB030 |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
|
|
|
|
FM24C16B-GTR |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
|
|
|
S25FL127SABMFV101 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
Mindestbestellmenge:

