USE Gefahrenabweichung
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fabricant:
Micron Technologie Inc.
Beschreibung:
IC DRAM 4GBIT 2,133 GHz 200WFBGA
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
4Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
-
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
200-WFBGA (10x14.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technologie Inc.
Uhrfrequenz:
2,133 Gigahertz
Spannung - Versorgung:
1.1V
Packung / Gehäuse:
200-WFBGA
Gedächtnisorganisation:
128M x 32
Betriebstemperatur:
-40°C | 105°C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR4
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabwehr
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 4Gbit 2,133 GHz 200-WFBGA (10x14.5)
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