BSS123
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fabricant:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
Beschreibung:
N-CH MOSFET 100V 0,2A SOT-23-3L
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
2,5 nC @ 10 V
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14 pF @ 50 V
Reihe:
-
Vgs (maximal):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Mfr:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Verlustleistung (maximal):
350mW (Ta)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Fet-Eigenschaft:
-
Einleitung
N-Kanal 100 V 200 mA (Ta) 350 mW (Ta) Oberflächenbefestigung SOT-23
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Lagerbestand:
Mindestbestellmenge:
