Bei der Verwendung von Zellstoff
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fabricant:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
2 μA @ 1200 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
2.4 V @ 200 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
SOD-57
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
300 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Lawine
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
SOD-57, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
2000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
250 mA
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Bei der Verwendung von
Einleitung
Diode 2000 V 250 mA durch das Loch SOD-57
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Stellenabbau |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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