S3M-E3/57T
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fabricant:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
Diode GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.15 V @ 2,5 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-214AB (SMC)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2.5 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-214AB, SMC
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
S3M
Einleitung
Diode 1000 V 3A Oberflächenhalter DO-214AB (SMC)
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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VS-HFA16PB120-N3 |
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Stellenabbau |
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DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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VS-20MQ100-M3/5AT |
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DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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