VS-20ETS08-M3
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fabricant:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
Diode GEN PURP 800V 20A bis 220AC
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 800 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
20ETS08
Einleitung
Diode 800 V 20A durch das Loch TO-220AC
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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VS-HFA16PB120-N3 |
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Stellenabbau |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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