1N5617E3
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fabricant:
Mikrochiptechnik
Beschreibung:
Diode GEN PURP 400V 1A AXIAL
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 400 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
800 mV @ 3 A
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
35pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
150 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
400 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5617
Einleitung
Diode 400 V 1A durch Loch A, axiale
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Für die Zwecke der Verordnung (EG) Nr.
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufzunehmen. |
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