FQB8N90CTM
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-CH/900V/8A/QFET C-Serie
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
6,3 A
Montageart:
SMD/SMT
Handelsbezeichnung:
QFET
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-263-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
900 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
5 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
1,6 Ohm
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
30 V
Qg - Tor-Gebühr:
35 nC
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Hervorheben:
FQB8N90CTM MOSFET semiconductor IC
,FQB8N90CTM power transistor
,FQB8N90CTM electronic component
Einleitung
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