FGA40T65SHD
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fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Pd - Energieverschwendung:
268 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
TO-3PN
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Schlauch
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
30 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2.14 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Die FGA40T65SHD, von Fairchild Semiconductor, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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