Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 erfasst.
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
31 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28mOhm @ 18A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1600 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
STripFET™
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
35A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
70W (TC)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
STD30
Hervorheben:
STD30NF06LT4 MOSFET Halbleiter
,STD30NF06LT4 Leistungs-IC
,STD30NF06LT4 N-Kanal Transistor
Einleitung
N-Kanal 60 V 35A (Tc) 70W (Tc) Oberflächenhalter DPAK
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