STF11NM80
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Voller Satz TO-220-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
43.6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
400 mOhm @ 5,5 A, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
800 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1630 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
MDmesh™
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220FP
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
11A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
35W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.
Hervorheben:
STF11NM80 power MOSFET
,STF11NM80 semiconductor IC
,STF11NM80 high voltage transistor
Einleitung
N-Kanal 800 V 11A (Tc) 35W (Tc) durch das Loch TO-220FP
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