Die Bezeichnung ist nicht erforderlich.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 50μA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.4 Ohm @ 600mA, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
400 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
165 pF @ 50 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
SuperMESH3™
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
1.8A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
3.3W (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
STN3
Einleitung
N-Kanal 400 V 1,8 A (Tc) 3,3 W (Ta) Oberflächenbefestigung SOT-223
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