Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
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fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-PowerVDFN
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
60 nC bei 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.4mOhm @ 11.5A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4570 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
StripFETTM F7
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerFlat™ (5x6)
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
4.8W (Ta), 140W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
Der Wert der Verpackung ist:
Einleitung
N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 4,8 W (Ta), 140 W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerFlatTM (5x6)
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