STD100N10F7
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
61 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 40A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4369 pF @ 50 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
DeepGATE™, STripFET™ VII
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
120W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
STD100
Hervorheben:
STD100N10F7 Leistungs-MOSFET
,STD100N10F7 Halbleiter-IC
,STD100N10F7 elektronisches Bauteil
Einleitung
N-Kanal 100 V 80A (Tc) 120W (Tc) Oberflächenhalter DPAK
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