STW26NM60N
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fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
60 nC bei 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
165mOhm @ 10A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
600 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1800 pF @ 50 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
MDmesh™ II
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-3
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
140W (TC)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
STW26
Einleitung
N-Kanal 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) durch Loch TO-247-3
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