Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden.
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fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
0.9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.5 Ohm @ 500 mA, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
200 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
150 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
STripFET™ II
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
1A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
3.3W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
Die Bezeichnung ist: STN4NF20
Einleitung
N-Kanal 200 V 1A (Tc) 3,3 W (Tc) Oberflächenaufbau SOT-223
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