STP140N8F7
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
96 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.3mOhm @ 45A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
6340 pF @ 40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
DeepGATE™, STripFET™ VII
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
90A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
200W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
STP140
Einleitung
N-Kanal 80 V 90 A (Tc) 200 W (Tc) durch Loch TO-220
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