SCT040H65G3AG
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fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
SILICON-CARBID für die Automobilindustrie
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.2V @ 1mA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-263-8, d-² PAK (7 Führungen + Vorsprung), TO-263CA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
39.5 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
55 mOhm @ 20A, 18V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
15V, 18V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
650 V
Vgs (maximal):
+18V, -5V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
920 pF @ 400 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Lieferanten-Gerätepaket:
H2PAK-7
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
221W (Tc)
Technologie:
SiCFET (Silikon-Karbid)
Basisproduktnummer:
Die Zulassung ist abgeschlossen.
Einleitung
N-Kanal 650 V 30A (Tc) 221W (Tc) Oberflächenhalter H2PAK-7
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