STL18N65M2
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-PowerVDFN
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
21.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
365 mOhm @ 4A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
650 V
Vgs (maximal):
±25V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
764 pF @ 100 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
MDmeshTM M2
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerFlat™ (5x6) Hochspg
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
8A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
57 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
Die Bezeichnung ist folgende:
Hervorheben:
STL18N65M2 Leistungs-MOSFET
,STL18N65M2 Halbleiter-IC
,STL18N65M2 Hochspannungstransistor
Einleitung
N-Kanal 650 V 8A (Tc) 57W (Tc) Oberflächenanbau PowerFlatTM (5x6) HV
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