STD6N95K5
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 100µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.25 Ohm @ 3A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
950 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
450 pF @ 100 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
SuperMESH5™
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
9A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
90W (TC)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
STD6N95
Hervorheben:
STD6N95K5 MOSFET semiconductor
,STD6N95K5 power IC
,STD6N95K5 high voltage transistor
Einleitung
N-Kanal 950 V 9A (Tc) 90W (Tc) Oberflächenhalter DPAK
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