STP110N8F6
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.5mOhm @ 55A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
9130 pF @ 40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
StripFETTM F6
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220
Mfr:
STMikroelektronik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
110A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
200W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
STP110
Hervorheben:
STP110N8F6 power MOSFET
,STP110N8F6 semiconductor IC
,STP110N8F6 with warranty
Einleitung
N-Kanal 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220
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