STPSC10H065D
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
Diode SIL CARB 650V 10A bis 220AC
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.75 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
480pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
STMikroelektronik
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Städte und Gemeinden
Hervorheben:
STPSC10H065D Siliziumkarbid-Diode
,STPSC10H065D Halbleiter-IC
,STPSC10H065D Leistungsdiode
Einleitung
Diode 650 V 10A durch das Loch TO-220AC
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