STGIPQ3H60T-HL
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fabricant:
STMikroelektronik
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Module
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
3 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
N2DIP-26
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Halbbrücke
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,15 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Karbid-Module
Hersteller:
STMikroelektronik
Einleitung
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