FDC3601N
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
SuperSOT™-6
Produktkategorie:
MOSFET
Factory Stock:
0
Mindestmenge:
3000
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
153 pF @ 50V
Packung / Gehäuse:
SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
1A
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft:
Standards
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
500 mOhm @ 1A, 10V
Leistung - Max.:
700mW
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Reihe:
PowerTrench®
Hersteller:
Einheitlich
Hervorheben:
FDC3601N MOSFET Halbleiter-IC
,FDC3601N Power Management IC
,FDC3601N elektronische Komponente IC
Einleitung
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