STGB30H60DFB
fabricant:
STMikroelektronik
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+ / - 250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
60 A
Pd - Energieverschwendung:
260 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
D2PAK-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Spirale
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,55 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGB30H60DFB IGBT semiconductor
,STGB30H60DFB power IC
,STGB30H60DFB high voltage IC
Einleitung
Die STGB30H60DFB, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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