STGB15M65DF2
fabricant:
STMikroelektronik
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+ / - 250 uA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
30 A
Pd - Energieverschwendung:
136 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
D2PAK-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Spirale
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,55 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGB15M65DF2 IGBT-Halbleiter
,STGB15M65DF2 Leistungs-IC
,STGB15M65DF2 Hochspannungs-IC
Einleitung
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