STGW60V60DF
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 600V 60A Hochgeschwindigkeits-Grench Gate IGBT
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Pd - Energieverschwendung:
375 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-247
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,35 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGW60V60DF power semiconductor IC
,STGW60V60DF high voltage IC
,STGW60V60DF semiconductor with warranty
Einleitung
Die STGW60V60DF, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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