STGWA40H65DFB
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT Transistoren Trench Gate Feldstop IGBT, HB-Serie 650 V, 40 A Hochgeschwindigkeit
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Pd - Energieverschwendung:
283 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,6 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGWA40H65DFB IGBT-Halbleiter
,STGWA40H65DFB Leistungs-IC
,STGWA40H65DFB Hochspannungs-IC
Einleitung
Die STGWA40H65DFB, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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