Die Zulassung ist nur möglich, wenn:
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 2A 6V Kurzschluss IGBT
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
35 A
Pd - Energieverschwendung:
32 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-220FP-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGF19NC60KD IGBT-Halbleiter
,STGF19NC60KD Leistungs-IC
,STGF19NC60KD mit Garantie
Einleitung
Die STGF19NC60KD, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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