STGD18N40LZT4
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren EAS 180 mJ-400 V mit IGBT-Klemm
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Qualifikation:
AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
360 V
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
12 V
Paket:
TO-252
Ausstattung:
Einzigartig
ROHS:
Grün verfügbar
Fabrikverpackung:
2500
Dauerkollektorstrom Ic Max:
25 A
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGD18N40LZT4 Leistungs-MOSFET
,STGD18N40LZT4 Halbleiter-IC
,STGD18N40LZT4 Hochspannungstransistor
Einleitung
Die STGD18N40LZT4, von STMicroelectronics, sind IGBT-Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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