STGD18N40LZT4
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fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren EAS 180 mJ-400 V mit IGBT-Klemm
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Qualifikation:
AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
360 V
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
12 V
Paket:
TO-252
Ausstattung:
Einzigartig
ROHS:
Grün verfügbar
Fabrikverpackung:
2500
Dauerkollektorstrom Ic Max:
25 A
Hersteller:
STMikroelektronik
Einleitung
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