STGW39NC60VD
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren N-CHANNEL MFT
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 100 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Pd - Energieverschwendung:
250 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1.8 V/1.7 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGW39NC60VD Leistungshalbleiter-IC
,STGW39NC60VD Hochspannungs-IC
,STGW39NC60VD Industrie-IC
Einleitung
Die STGW39NC60VD, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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