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STGW80V60DF

fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren Gräbentor V-Serie 600V 80A HiSpd
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
120 A
Pd - Energieverschwendung:
469 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,85 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:

STGW80V60DF Leistungshalbleiter-IC

,

STGW80V60DF Hochspannungs-IC

,

STGW80V60DF Halbleiter mit Garantie

Einleitung
Die STGW80V60DF, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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