Stgwa50M65DF2
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren Gräben-Tor-Feldstop IGBT M-Serie, 650 V 50 A geringer Verlust
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 250 uA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Pd - Energieverschwendung:
375 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,65 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGWA50M65DF2 IGBT-Halbleiter
,STGWA50M65DF2 Leistungs-IC
,STGWA50M65DF2 mit Garantie
Einleitung
Der STGWA50M65DF2 von STMicroelectronics ist ein IGBT-Transistor. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, und zwar in Original- und neuen Teilen.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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