STGWA25H120DF2
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Pd - Energieverschwendung:
375 W
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
20 V
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,5 V
Hersteller:
STMikroelektronik
Hervorheben:
STGWA25H120DF2 IGBT semiconductor
,STGWA25H120DF2 power module
,STGWA25H120DF2 IC with warranty
Einleitung
Der STGWA25H120DF2 von STMicroelectronics ist ein IGBT-Transistor. Wir bieten einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, und zwar in Original- und neuen Teilen.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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