Filter
Filter
Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
STPS16170CB-TR |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführte Menge ist: |
Diodenarray
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
1SMB5920BT3G |
Diode Zener 6,2V 3W SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MM3Z18VT1G |
Diode Zener 18V 300MW SOD323
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
1N5342BRLG |
Diode ZENER 6,8V 5W axiale
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
Diode Zener 18V 1W DO41
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
Diode Zener 15V 1W DO41
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I zu finden. |
Trans Prebias PNP 50V 100MA SC75
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MMUN2233LT1G |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 geändert. |
Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
DTC114YET1G |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MUN5235DW1T1G |
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NSVMUN5312DW1T2G |
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
ULN2803A |
Trans 8NPN DARL 50V 0,5A 18DIP
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die Prüfungen werden in der folgenden Tabelle durchgeführt: |
Trans 7NPN DARL 50V 0,5A 16SO
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. |
Trans 7NPN DARL 50V 0,5A 16SO
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STP110N8F6 |
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. |
MOSFET N-CH 300V 60A bis 247
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STD11N65M2 |
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STF16N65M2 |
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in der Form von einem Füllkörper. |
MOSFET N-CHANNEL 950V 38A bis 247
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Stellvertretung |
MOSFET N-CH 950V 17,5A TO247
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in der Lage, |
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STP21N90K5 |
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STP43N60DM2 |
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STF33N60M2 |
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
St.B.30N80K5 |
MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STP100N10F7 |
MOSFET N CH 100V 80A bis 220
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STD6N95K5 |
MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STL18N65M2 |
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STD25NF10LA |
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STD10P10F6 |
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
SCT040H65G3AG |
SILICON-CARBID für die Automobilindustrie
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STW9NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STP140N8F7 |
MOSFET N-CH 80V 90A TO220
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STL140N6F7 |
MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
NVD5C684NLT4G |
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden. |
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
SCTW70N120G2V |
Bei der Übertragung von Kraftfahrzeugen auf die Schiene wird die Kraftfahrzeugverbindung mit dem Fah
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
STD13N60DM2 |
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die Bezeichnung "B" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Beförderung. |
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
Die Bezeichnung ist: STN1NF20 |
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
|
STMikroelektronik
|
|
|
