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Halbleiter IC

BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandZulassung
Qualität [#varpname#] usine

STP315N10F7

MOSFET Leistung MOSFET
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

STS4DNF60L

MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

FDS4559

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

NTJD4001NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 0,25A SOT-363
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

FDC6312P

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

FDC6305N

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

FDC6420C

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

Die Ausrüstung ist in Form von

MOSFET N-CH 1KV 8.3A bis 247
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

NTS4101PT1G

MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

FQD7P20TM

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

STP110N7F6

MOSFET N-CHANNEL 68V 110A bis 220
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Produkte.

IGBT-Module SLLIMM IPM der 2. Serie, 3-Phasen-Wechselrichter, 10 A, 600 V Kurzschluss robuste IGBT
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

STGIPQ3H60T-HL

STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die Bezeichnung des Erzeugnisses ist folgende:

Schottky-Dioden-u. -gleichrichter-Energie-Schottky-Gleichrichter
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Stellenausrüstung

Schottky-Dioden und Berichtigungsgeräte 200 V Schottky-DV-DV 45 pF TO220PF 2000 V
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Stellenaufnahme

Schottky-Dioden u. Gleichrichter 2x30 Ampere 100 Volt
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Stellenabbau

Schottky-Dioden und Berichterstatter 2x30 Ampere 150 Volt
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Stellenabschneidung

STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

STTH2003CT

Ausrüstung für die Anpassung an die Wärme
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

STPSC10H065D

Diode SIL CARB 650V 10A bis 220AC
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

FERD40H100STS

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Stellenabschluss

Diode SCHOTTKY 100V 2A SMB
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die Bezeichnung ist: STTH1512G-TR

D2PAK
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.

Dioden-Silkarbid 650V 20A DO247
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

StdH1212D

Diode GEN PURP 1,2KV 12A bis 220AC
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Stellvertretung

Diode Schottky 150V 3A SMB
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

STTH6006W

Diode GEN PURP 600V 60A DO247
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die Bezeichnung "R" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung des Erzeugnisses.

Diode GEN PURP 300V 8A POWERFLAT
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Std112U

Diode GEN PURP 1,2 KV 1A SMB
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

D2PAK
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Diode GEN PURP 1KV 8A TO220FPAC
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Std.3012D

Diode GEN PURP 1,2KV 30A bis 220AC
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Stellenabschnitte

Diode Schottky 150V 1A SMA
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

Diode GEN PURP 600V 3A SMC
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Ich bin nicht derjenige, der das Problem hat.

Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von 30 V ausgestattet
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die Angabe der Größenordnung ist nicht erforderlich.

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

BAT54JFILM

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt für die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgefüh
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

STPS2H100

Diode SCHOTTKY 100V 2A DO41
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Diode Schottky 100V 30A PWRFLAT
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

STTH102A

Diode GEN PURP 200V 1A SMA
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

BAT48JFILM

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

LL4148

DIODEN-GEN PURP 100V 200MA SOD80
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

NRVA4004T3G

Diode GEN PURP 400V 1A SMA
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

ES3J

Diode GEN PURP 600V 3A SMC
Einheitlich
Qualität [#varpname#] usine

Der Wert der Verbrennungsmenge ist der Wert der Verbrennungsmenge.

Diode GEN PURP 200V 1,5A SMB
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht für die Zulassung.

Diode SIL CARB 650V 20A bis 220AC
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
STMikroelektronik
Qualität [#varpname#] usine

RS1J

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
Taiwan Semiconductor Corporation
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