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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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STP315N10F7 |
MOSFET Leistung MOSFET
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STMikroelektronik
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STS4DNF60L |
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
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STMikroelektronik
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FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
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Einheitlich
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NTJD4001NT1G |
MOSFET 2N-CH 30V 0,25A SOT-363
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Einheitlich
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FDC6312P |
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
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Einheitlich
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FDC6305N |
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
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Einheitlich
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FDC6420C |
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist in Form von |
MOSFET N-CH 1KV 8.3A bis 247
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STMikroelektronik
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NTS4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
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Einheitlich
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FQD7P20TM |
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
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Einheitlich
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STP110N7F6 |
MOSFET N-CHANNEL 68V 110A bis 220
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Produkte. |
IGBT-Module SLLIMM IPM der 2. Serie, 3-Phasen-Wechselrichter, 10 A, 600 V Kurzschluss robuste IGBT
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STMikroelektronik
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STGIPQ3H60T-HL |
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STMikroelektronik
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Die Bezeichnung des Erzeugnisses ist folgende: |
Schottky-Dioden-u. -gleichrichter-Energie-Schottky-Gleichrichter
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STMikroelektronik
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Stellenausrüstung |
Schottky-Dioden und Berichtigungsgeräte 200 V Schottky-DV-DV 45 pF TO220PF 2000 V
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STMikroelektronik
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Stellenaufnahme |
Schottky-Dioden u. Gleichrichter 2x30 Ampere 100 Volt
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STMikroelektronik
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Stellenabbau |
Schottky-Dioden und Berichterstatter 2x30 Ampere 150 Volt
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STMikroelektronik
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Stellenabschneidung |
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STMikroelektronik
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STTH2003CT |
Ausrüstung für die Anpassung an die Wärme
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STMikroelektronik
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STPSC10H065D |
Diode SIL CARB 650V 10A bis 220AC
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STMikroelektronik
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FERD40H100STS |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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STMikroelektronik
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Stellenabschluss |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMB
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STMikroelektronik
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Die Bezeichnung ist: STTH1512G-TR |
D2PAK
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
Dioden-Silkarbid 650V 20A DO247
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STMikroelektronik
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StdH1212D |
Diode GEN PURP 1,2KV 12A bis 220AC
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STMikroelektronik
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Stellvertretung |
Diode Schottky 150V 3A SMB
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STMikroelektronik
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STTH6006W |
Diode GEN PURP 600V 60A DO247
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STMikroelektronik
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Die Bezeichnung "R" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung des Erzeugnisses. |
Diode GEN PURP 300V 8A POWERFLAT
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STMikroelektronik
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Std112U |
Diode GEN PURP 1,2 KV 1A SMB
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
D2PAK
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Diode GEN PURP 1KV 8A TO220FPAC
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STMikroelektronik
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Std.3012D |
Diode GEN PURP 1,2KV 30A bis 220AC
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STMikroelektronik
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Stellenabschnitte |
Diode Schottky 150V 1A SMA
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STMikroelektronik
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Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. |
Diode GEN PURP 600V 3A SMC
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STMikroelektronik
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Ich bin nicht derjenige, der das Problem hat. |
Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von 30 V ausgestattet
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STMikroelektronik
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Die Angabe der Größenordnung ist nicht erforderlich. |
DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
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STMikroelektronik
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BAT54JFILM |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt für die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgefüh
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STMikroelektronik
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STPS2H100 |
Diode SCHOTTKY 100V 2A DO41
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Diode Schottky 100V 30A PWRFLAT
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STMikroelektronik
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STTH102A |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
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STMikroelektronik
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BAT48JFILM |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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STMikroelektronik
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LL4148 |
DIODEN-GEN PURP 100V 200MA SOD80
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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NRVA4004T3G |
Diode GEN PURP 400V 1A SMA
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Einheitlich
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ES3J |
Diode GEN PURP 600V 3A SMC
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Einheitlich
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Der Wert der Verbrennungsmenge ist der Wert der Verbrennungsmenge. |
Diode GEN PURP 200V 1,5A SMB
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht für die Zulassung. |
Diode SIL CARB 650V 20A bis 220AC
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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STMikroelektronik
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RS1J |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Taiwan Semiconductor Corporation
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