Vishay Halbleiter
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Einleitung
Vishay Halbleiter
Neueste Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | RFQ | |
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VO1263AACTR |
Fotodioden-Ausgangs-Optikopplungen Dual Photovoltaic MOSFET-Treiber
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VO3120-X007T |
Logische Ausgang Optocouplers 2.5A Strom aus IGBT/MOSFET Drvr
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VOM160RT |
Triac- und SCR-Ausgangsoptokopler 600V 10mA 0,5K DV/DT Nicht-Null-Kreuzung
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6N137-X007T |
Hochgeschwindigkeits-Optikopplungen 10Mbd Hochgeschwindigkeits-Einzel-CTR> 300%
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
Transistor-Ausgang Optocouplings Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR> 160-256%
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VOS615A-2X001T |
Transistor-Ausgangs-Optikopplungen CTR 63-125% 10MA
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SFH6156-3T |
Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR 100-200%
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TCLT1000 |
Transistor-Ertrag-Optokoppler-Fototransistor heraus
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VOS628A-2X001T |
Transistorausgang Optocouplings AC-Eingang, Photonstr 63-125% CTR VDE
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Transistorausgangsoptokopplungen H. Relblty 5300 Vrms 63-125%
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Fahrzeuge. |
Transistorausgang Optocouplers Optocplr Phototrnstr 100-200% CTR
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TCLT1009 |
Transistorausgang Optocouplings Phototransistor Ausgang Einzel CTR 200-400%
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Der Anteil der |
Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Quad CTR > 20%
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CNY65AGRST |
Transistorausgang Optocouplers FOTONTRANSISTOR aus CTR 100-300
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Transistorausgang Optocouplers Optocplr Phototrnstr 100-200% CTR VDE
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Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte |
Transistor-Ausgang Optocouplers Phototransistor-Ausgang Einzel-CTR> 100-200%
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CNY 66 |
Transistor-Ertrag-Optokoppler-Fototransistor heraus
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SIHB33N60ET1-GE3 |
MOSFET N-KANAL 600V
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SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifiziert
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
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IRFB18N50KPBF |
MOSFET N-Chan 500V 17 Ampere
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SI7956DP-T1-GE3 |
MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V
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IRFPC60LCPBF |
MOSFET N-Chan 600V 16 Ampere
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SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 Mohm
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit. |
MOSFET 30V 6,0A 6,3W 30mohm @ 10V
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SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mAh @ 10V
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SQ2361AEES-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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IRL520PBF |
MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampere
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Ampere
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