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semiconductor ic chip

Schlüsselwörter   [ semiconductor ic chip ]  Übereinstimmung 1253 produits.
BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandRFQ
Qualität NRVBA160NT3G usine

NRVBA160NT3G

Diode Schottky 60V 1A SMA
Qualität VS-EPH3006-N3 usine

VS-EPH3006-N3

Dies ist der Fall, wenn die Anlage nicht in Betrieb ist.
Qualität VS-3EGU06-M3/5BT usine

VS-3EGU06-M3/5BT

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Verwendung von
Qualität NRVUS1MFA usine

NRVUS1MFA

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
Qualität NRVTSM260EV2T1G usine

NRVTSM260EV2T1G

Diode SCHOTTKY 60V 2A Leistung
Qualität Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. usine

Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 auf
Qualität A3930KJPTR-T usine

A3930KJPTR-T

IC-BEWEGUNGSprüfer-GLEICHHEIT 48LQFP
Qualität A4910KJPTR-T usine

A4910KJPTR-T

IC-MOTOR CTRLR SPI 48LQFP
Qualität A4935KJPTR-T usine

A4935KJPTR-T

IC MOSFET DVR SELBST-3PH 48LQFP
Qualität A3921KLPTR-T usine

A3921KLPTR-T

IC-VOLLBRÜCKE CTLR 28TSSOP
Qualität A3918SESTR-T usine

A3918SESTR-T

IC-LOKFÜHRER-GLEICHHEIT 16QFN
Qualität A3946KLPTR-T usine

A3946KLPTR-T

IC-BEWEGUNGSprüfer-GLEICHHEIT 16TSSOP
Qualität A4960KJPTR-A-T usine

A4960KJPTR-A-T

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Qualität Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für: usine

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für:

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung von Leistungen, die in A
Qualität T2535-600G-TR usine

T2535-600G-TR

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Qualität T1635-600G-TR usine

T1635-600G-TR

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Qualität Die Bezeichnung ist: usine

Die Bezeichnung ist:

MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Qualität NSVMUN5312DW1T2G usine

NSVMUN5312DW1T2G

Qualität VS-HFA16PB120-N3 usine

VS-HFA16PB120-N3

Diode GP 1,2 KV 16A bis 247AC
Qualität Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. usine

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Qualität NLV27WZ04DFT2G usine

NLV27WZ04DFT2G

IC-Inverter 2CH 2-INP SC88
Qualität SUD50P10-43L-E3 usine

SUD50P10-43L-E3

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Qualität SQ2389ES-T1_GE3 usine

SQ2389ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Qualität ATP304-TL-H usine

ATP304-TL-H

MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Qualität NVR5124PLT1G usine

NVR5124PLT1G

MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Qualität NTST20U100CTG usine

NTST20U100CTG

Diodenarray SCHOTTKY 100V bis 220
Qualität Die Ausrüstung ist in Form von usine

Die Ausrüstung ist in Form von

Diode SCHOTTKY 30V 200MA SOD923
Qualität Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. usine

Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

IC-BEWEGUNGSprüfer-GLEICHHEIT 24SOIC
Qualität A3901SEJTR-T usine

A3901SEJTR-T

IC MOTOR DRIVER PAR 10DFN ist nicht verfügbar.
Qualität T3035H-6T usine

T3035H-6T

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsschwankun
Qualität FDBL86361-F085 usine

FDBL86361-F085

MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Qualität FDBL86561-F085 usine

FDBL86561-F085

MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Qualität SQA403EJ-T1_GE3 usine

SQA403EJ-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Qualität 2V7002KT1G usine

2V7002KT1G

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Qualität SQ2398ES-T1_GE3 usine

SQ2398ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 1,6A SOT23-3
Qualität SQ7414CENW-T1_GE3 usine

SQ7414CENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Qualität SQJ872EP-T1_GE3 usine

SQJ872EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 150V 24,5A PPAK SO-8
Qualität SUM70101EL-GE3 usine

SUM70101EL-GE3

MOSFET P-CH 100V 120A bis 263
Qualität Die Zulassung ist abgeschlossen. usine

Die Zulassung ist abgeschlossen.

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
Qualität FDB86363-F085 usine

FDB86363-F085

MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Qualität MC1413BDR2G usine

MC1413BDR2G

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Qualität Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I zu entnehmen. usine

Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I zu entnehmen.

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Qualität S320 usine

S320

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind für die Berechnung der Leistung zu verwenden.
Qualität SBAS116LT1G usine

SBAS116LT1G

Diode GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Qualität TN3050H-12WY usine

TN3050H-12WY

SCR 1,2KV 30A bis 247
Qualität T3035H-6I usine

T3035H-6I

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsschwankun
Qualität T1635T-8I usine

T1635T-8I

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
Qualität ACST210-8FP ist ein usine

ACST210-8FP ist ein

Das System wird von einem anderen System ausgerüstet.
Qualität Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. usine

Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

Trans 7NPN DARL 50V 0,5A 16SO
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