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SQ7414CENW-T1_GE3

fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Leistung wird in der Tabelle 1 angegeben.
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 8,7A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1590 pF @ 30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
Automobil, AEC-Q101, TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Leistung wird in der Tabelle 1 angegeben.
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
62 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SQ7414
Einleitung
N-Kanal 60 V 18A (Tc) 62W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® 1212-8W
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Lagerbestand:
Mindestbestellmenge: