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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

fabricant:
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2,5 V bei 1 mA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
SC-100, SOT-669
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
42 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.8mOhm @ 22.5A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
6100 pF @ 10 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
LFPAK
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
45A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
65 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
RJK0653
Einleitung
N-Kanal 60 V 45A (Ta) 65W (Tc) Oberflächenhalter LFPAK
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind.

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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen.

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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden.

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