FDMS86163P
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-PowerTDFN
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
59 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 7,9A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Vgs (maximal):
±25V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4085 pF @ 50 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
7.9A (Ta), 50A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDMS86163
Einleitung
P-Kanal 100 V 7,9 A (Ta), 50 A (Tc) 2,5 W (Ta), 104 W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-PQFN (5x6)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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