NTTFS5116PLTAG
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-PowerWDFN
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
52mOhm @ 6A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1258 pF @ 30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
8-WDFN (3.3x3.3)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
5.7A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
3.2W (Ta), 40W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
NTTFS5116
Einleitung
P-Kanal 60 V 5,7 A (Ta) 3,2 W (Ta), 40 W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-WDFN (3.3x3.3)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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