FDB33N25TM
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
94mOhm @ 16,5A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
250 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2135 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
UniFETTM
Lieferanten-Gerätepaket:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
235 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDB33N25
Einleitung
N-Kanal 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK (TO-263)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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