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FDMC510P

fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-PowerWDFN
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
116 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 12A, 4,5 V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
1,5 V, 4,5 V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Vgs (maximal):
±8V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7860 pF @ 10 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
8-MLP (3.3x3.3)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
12A (Ta), 18A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDMC510
Einleitung
P-Kanal 20 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Oberflächenmontage 8-MLP (3.3x3.3)
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