FDMS039N08B
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-PowerTDFN
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
100 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.9mOhm @ 50A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7600 pF @ 40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
19.4A (Ta), 100A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDMS039
Einleitung
N-Kanal 80 V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-PQFN (5x6)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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