FDS6576
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
60 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14 mOhm @ 11A, 4,5 V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 4.5V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Vgs (maximal):
±12V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4044 pF @ 10 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
11A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
2.5W (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDS65
Einleitung
P-Kanal 20 V 11A (Ta) 2,5 W (Ta) Oberflächenbefestigung 8-SOIC
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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