NTH4L045N065SC1
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET aus Siliziumkarbid, NCHANNEL
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
105 nC @ 18 V
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schlauch
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1870 pF @ 325 V
Reihe:
-
Vgs (maximal):
+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 8mA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-4L
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
50 mOhm @ 25A, 18V
Mfr:
Einheitlich
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
15V, 18V
Verlustleistung (maximal):
187 W (Tc)
Packung / Gehäuse:
TO-247-4
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
650 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
55A (Tc)
Technologie:
SiCFET (Silikon-Karbid)
Fet-Eigenschaft:
-
Einleitung
N-Kanal 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) durch Loch TO-247-4L
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