NTBG080N120SC1
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 5mA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-263-8, d-² PAK (7 Führungen + Vorsprung), TO-263CA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110 mOhm @ 20A, 20V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
20 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
1200 V
Vgs (maximal):
+25, -15 V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1154 pF @ 800 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
D2PAK-7
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
179 W (Tc)
Technologie:
SiCFET (Silikon-Karbid)
Basisproduktnummer:
NTBG080
Einleitung
N-Kanal 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK-7
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